+86-917-3373399 info@yunch.tech
Categoría producto
Jar contacto ko ngekihe

Shaanxi Yunzhong Tionscal Forbartha Co, Teo

Seoladh: NO.128 Road Gaoxin, Baoji City, Shaanxi Cúige na Síne

PC: 721013

Teil: + 86-917-3373399

Facs: + 86-917-3373378

R-phost: info@yunch.tech

Noticias
Página inicio > Noticias > Contenido
Farfulla ya 'befi da película ar delgada
Aug 02, 2016


Hñets'i nt'axi sputteringnä'ä ar industria ya materiales hneise̲, controlan ar requerimientos Nxoge, tales como tamaño, 'mui za̲tho, pureza, contenido ar impureza, densidad, N/O/C/S, tamaño ya grano ne ya defecto; contiene mäs requisitos wa requerimientos hontho: ar ar superficie rugosidad, hmädi ar resistencia, granulometría, composición ne microestructura, contenido komongu tu (óxido) ne tamaño, permeabilidad, ultra ya mextha densidad ne grano ultra fino ne nja'bu̲ sucesivamente. Farfulla ar magnetrón ge 'nar 'ra'yo nt'ot'e deposición física gas fase ar ko pistola electrónica pa ar emisión electrones ne enfocando ar hñei plateado da escupió nu'bu fuera átomos obedecen ndui transferencia momentum 'nar energía mäs mextha hñei Ntsuni ar película deposición sustrato. 'Me̲hna ar hu'ä ar farfulla galjanoplastia material objetivo.Metal ar farfulla, cerámica, Boruro ar aleación, etc...

Capa ar farfulla ar magnetrónge 'nar 'ra'yo klase ar nt'ot'e deposición física ya vapor, ja ya 2013 arnt'ot'e ár evaporación ar capayá ventajas ya bastante evidentes. Ngu 'nar tecnología madura, magnetrón sputtering ar xi utilizado ko xingu ya campos.


Farfulla ge 'na ya principales ar tecnología ar nt'ot'e materiales película delgada, usa ar generan jar ion fuente iones, jar vacío 'mefa xta acelerar ar agregación ne ar formación bombardeo ar viga ion mextha velocidad energía superficie sólida, ion ne 'nar átomos superficiales sólidos sometidos mpa̲ti cinético, gi 'yo̲t'e ya átomos superficiales sólidos ya sólidos ne ya depositados ar superficie ar sustrato , sólido bombardeado ar sputtering deposición película ar materia prima, conocida komongu ar farfulla material objetivo. Varios xingu yamateriales película fina pulverizaciónampliamente japu̲'be̲fihe jar circuitos integrados ar semiconductores, grabación made, visualización ar plano ne ar capa superficial ar pieza ar 'be̲fi.



Ya pulverización catódica ar materiales ar 'mu̲i ya principalmente utilizados ja ar industria electrónica ne nuna, tales como circuito mfaxte, pantalla ya xito líquido, almacenamiento nuna, memoria láser, piezas ar regulador electrónico; tsa̲ da utilizar ar 'nehe jar hwähi ar capa ya xito; 'nehe ar tsa̲ da utilizar jar materiales resistentes 'na jar desgaste, corrosión mextha mpat'i, mar hñets'i ya grado ar xe̲ni decorativos komongu ar industria.

clasificación


Nä'ä mä jar nt'ot'e, Honja to gi bí objetivo 'nar ya'bu̲, 'nar cuadrado nt'axi, 'nar blanco redondo ne 'nar blanco jar hontho.


Nä'ä mä ar composición ar tsa̲ da gi ja ya 'befi ya metal, aleación objetivo material, cerámica blanco compuesto


Nä'ä mä jar nt'ot'e da divide jar semiconductor Asociación cerámica nt'axi, nt'axi cerámica made grabación, pantalla cerámica nt'axi, blanco cerámica ya superconductora ne ya he̲'mi cerámico resistencia magneto gigante

Nä'ä ar nt'ot'e áreas ar dividen jar objetivo microelectrónica, he̲'mi grabación magnética ne disco óptico objetivo, material ya bo̲jä, noble objetivo, thin film resistor target, target película conductora, nyokwi nthoki superficial 'befi 'mu̲i ne ar máscara capa, capa decorativa objetivo material, he̲'mi ar electrodo, he̲'mi embalaje ne ma'na ar objetivo


Ar ndui ar farfulla ar magnetrón: ar farfulla electrodo (cátodo) entre ar ánodo ne ar plus 'nar hwähi magnético ortogonal ne hwähi eléctrico, nu'bu̲ 'nar cámara ar vacío mextha llenaban ar gas inerte (nu'bu̲ da nthe̲hu̲ 'ra ya gas el), imán 'befi nzäm'bu jar superficie formación hñei nt'axi 250 ~ 350 Gauss magnéticos. Ko ar Hmunts'i ya hwähi eléctrico mextha tensión jar ortogonal campos eléctricos ne magnéticos. Ar nt'ot'e hwähi eléctrico, jár ionización ar gas iones positivos ne electrones, blanco ko 'nar mar hñets'i voltaje negativo, ar probabilidad objetivo jar Polo electrón ionización hwähi magnético ne ar gas ar 'be̲fi ar incrementa, ja ya cercanías plasma mextha densidad Honja cátodo, el ion el jar bajo ar nt'ot'e ya ndu nzafi Lorentz acelerado nu'bu ar superficie ar blanco , bombardean ar superficie ar objetivo mextha 'nar velocidad, ar objetivo xí farfullado átomos obedecen ndui conversión impulso ko mextha energía cinética ar superficie objetivo nu'bu ar película deposición sustrato. Farfulla ar magnetrón bí divide nu'bu̲ da nthe̲hu̲ 'ra ja yoho xingu: afluente ar pulverización ne ar RF sputtering, nä'ä ge 'nar tributario ya equipos pulverización catódica ar sencillo, jar chisporroteo ya ar bo̲jä,, ar tasa ar 'nehe ngut'a.

Ar farfulla ar frecuencia thuhu ar mäs ampliamente utilizada, 'nehe ya materiales conductores, 'nehe to da utilizado ngu ya 'nar he̲'mi hingi conductor ne ar he̲'mi óxido, ar nitruro ne ar carburo xi da preparados ya sputtering reactivo. Nu'bu̲ frecuencia RF ar mejora 'mefa xta pulverización plasma microondas, utilizados jar electrón ciclotrón ñäñho (ECR) klase microondas plasma farfulla.

Blanco sputtering magnetrón:

Telluride farfulla objetivo material cerámico, ma'na objetivo ar cerámica, metal nt'axi, nt'axi sputtering ar aleación, cerámica nt'axi sputtering, cerámica Boruro material objetivo, he̲'mi blanco sputtering cerámico carburo, fluoruro cerámica farfulla objetivo material, cerámica nitruro da farfulla hñei objetivo, objetivo cerámica óxido, seleniuro cerámica farfulla objetivo material, siliciuro ar cerámica nt'axi ne cerámica sulfuro material nt'axi ar farfulla ar farfulla ar farfulla ar farfulla, dopado ko objetivo cerámica silicio óxido cromo Cr — SiO , nt'ot'e fosfuro ar indio (INP), nt'axi plomo arsénico (PBA), Arsénico nt'axi ar indio (InAs).


Mextha ar pureza bí mextha ar densidad ar blanco sputtering:


Blanco sputtering (pureza: 99,9% — 99.999%)


1 metal nt'axi:

Destino, 'mu̲i, 'mu̲i, objetivo, objetivo, objetivo, objetivo, objetivo, objetivo, objetivo, objetivo, silicio, aluminio, titanio, blanco ar aluminio, blanco, objetivo, objetivo, objetivo, objetivo, objetivo objetivo ar níquel, nixi, nu'i nt'axi, nu'i, Zn, Zn, Cr, Cr, Mg, Mg NB, Nb, Sn, Sn, nt'axi ar aluminio da ar, indio, indio, hierro, nt'eme, Zr destino zral nt'axi, TiAl, circonio nt'axi, Zr, ar hä jar 'mu̲i AlSi objetivo, hä, Cu Cu objetivo , nt'axi T, ar tantalio, Ge nt'axi, Ge, Ag, Ag, Co, Co, Au, Au, gadolinio, Gd, ar, ar, ne, ne, CE CE, tungsteno W, asero inoxidable, níquel cromo target, NiCr, HF, HF, Mo, Mo, nt'eme Ni objetivo, FeNi, tungsteno objetivo, w metal materiales blanco ar farfulla.

objetivo cerámica 2

ITO ne AZO nt'axi, óxido ar magnesio, blanco, blanco, blanco óxido hierro nitruro silicio, nitruro titanio, carburo ar silicio objetivo objetivo objetivo objetivo, cromo óxido Zinc, sulfuro ar cinc, blanco sílice, óxido silicio 'mu̲i, target óxido cerio, 'befi objetivo yoho ne ku̲t'a yoho circonio óxido, dióxido titanio, niobio objetivo objetivo yoho ya zirconia objetivo dos ne target óxido hafnio, destino yoho circonio Boruro Diboruro ar titanio , óxido tungsteno target, objetivo, objetivo ku̲t'a hñu yoho oxidación óxido aluminio óxido tantalio yoho ku̲t'a, nt'axi yoho ya niobio, target, fluoruro itrio 'mu̲i, ar fluoruro ar magnesio, zinc seleniuro objetivo aluminio nitruro objetivo, objetivo ar nitruro silicio, nt'axi ya dá carburo ar Silicio Nitruro ar boro nitruro titanium, blanco, blanco. Destino, objetivo, objetivo titanato litio niobato titanato praseodimio bario, lantano titanato níquel óxido cerámico objetivo ne nt'axi ar sputtering.

objetivo aleación 3

Nixi Cr aleación nt'axi, objetivo aleación níquel vanadio, objetivo aleación aluminio silicio, objetivo aleación cobre níquel, aleación aluminio titanio, objetivo ar aleación níquel vanadio ne objetivo aleación ferroboro, objetivo aleación ferrosilicio ko mextha pureza aleación nt'axi sputtering.


[[JS_BodyEnd]]